歷屆得獎者

張俊彥院士個人簡歷

張俊彥先生出生於台灣鳳山市，1960年畢業於成功大學電機工程系，並分別於1962及1970年陸續獲得交通大學碩士及博士學位。在微電子電路、微波及光電三大科學領域有的學術貢獻。包括：

• 發明使用Triethylgallium低壓金屬化學沉積系統(LP-MOCVD)來製作發光二極體、雷射二極體及各種微波元件。
• 在超大型積體電路領域中，乃是首位針對二氧化矽材料做鋅摻雜(1968)、氮化處理(1984)及氟摻雜(1984)之早期深入研究。
• 首創半-氧-半Semiconductor-Oxide-Semiconductor(SOS)電荷傳輸機制(1968)。
• 建立金屬-半導體接面能障之載子傳輸模型。
• 創立金屬-半導體接面阻值理論(1971)。

1963年開始加入交通大學並指導成立高真空實驗室，完成於1964年，並與研究夥伴在交通大學建立起第一座國際級具有高科技水準的半導體研究中心,並設有專為研究平面式矽基材電子元件之無塵實驗室。1965年4月成功地製作出第一顆平面式矽電晶體，隔年八月更進一步完成第一顆積體電路(IC)及MOS元件，對於未來台灣高科技發展打下最重要的基底。

從1964年起，張教授就開始帶領碩士及博士生做深入研究，同時教授固態物理、量子力學、半導體元件及技術的相關課程，並於1969年即升任為正教授。後來在1977-1987年之間，在成功大學一手推動電子工程及電腦科學的方案，同時開始著手進行砷化鎵(GaAs)、非晶矽及多晶矽的科學研究。

1987年開始回到交通大學並擔任國家奈米元件實驗室(NDL)的創建者(1990-1997年)，陸續也在交通大學的微電子資訊中心擔任主任一職。由於過去在研究及教育持續不斷投入大量心力，造就許多優秀人才，至今多數在台灣皆已擔任高科技公司具有影響力的主管階層，像是台積電(TSMC)、聯電(UMC)、華邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、宏碁(ACER)、及國眾(Leo)等等高科技公司。

於1998年八月擔任交通大學校長一職(1998-2006)，以教授及一校之長的角度作為出發點，張教授期許自己可以引領交通大學,不管是在科學、工程、人文、藝術、以及生物科學技術，都能有優秀傑出的表現水平。的確在校長任期內，交通大學在IEEE最重要的期刊發表論文數，已成為世界上最高。為了持續努力走向成為具有高水準大學的目標，在2002年，利用台灣具有半導體製造廠的優勢下，開始推動國家型晶片系統(NSOC)計畫，逐漸建立起強大的系統設計能力。

在2006年，台灣在ISSCC國際重要會議的表現，從原本的寥寥無幾逐漸成為世界前三強。張俊彥教授在1987年早已獲得IEEE FELLOW的殊榮，1996年成為中央研究院院士，又於2000年成為我國唯一的美國國家工程院(National Academy of Engineering U.S.A.(NAE)的外籍院士(Foreign Associate)，也獲得IEEE千禧年勳章。

由於張教授在台灣電子產業、學術教育及材料科學的多年來的努力，「如果沒有張教授的領導，台灣的電子產業幾乎不可能發展地如此的興盛，對台灣也是對世界的經濟具有重要貢獻。」一位NAE院士如此讚譽。在今年2007年，他更獲得來自日本在科學領域的亞洲Nikkei Prize，肯定他在科技及學術上的突出貢獻。